Зміст:
Визначення - Що означає пам'ять змін фаз (PCM)?
Пам'ять змін фаз (PCM) - це тип енергонезалежної оперативної пам’яті, який зберігає дані, змінюючи стан використовуваного матеріалу, тобто змінюється вперед і назад між аморфним і кристалічним станами на мікроскопічному рівні. PCM вважається новою технологією.
PCM в 500-1000 разів швидше, ніж звичайна флеш-пам'ять. Технологія PCM також може запропонувати економічно вигідне енергонезалежне зберігання з високим об'ємом та високою щільністю в незрівнянному масштабі.
Пам'ять змін фаз також відома як ідеальна оперативна пам'ять, PCME, PRAM, PCRAM, яєчна об'єднана пам'ять, халькогенідна оперативна пам'ять і C-RAM.
Техопедія пояснює пам'ять змін фаз (PCM)
В аморфному стані (або невпорядкованій фазі) матеріал у пам'яті PCM має високий електричний опір. У кристалічному стані (або впорядкованій фазі) він має менший опір. Таким чином, електричний струм дозволено включати та вимикати для відображення цифрових високих та низьких станів.
Це одна з декількох технологій пам'яті, що конкурують за заміну флеш-пам’яті, що має ряд проблем. Пам'ять про зміну фаз може забезпечити набагато більшу продуктивність, коли потрібно швидко записувати. Флеш-пам'ять також деградує з кожним сплеском напруги. Пристрої пам'яті для зміни фаз також погіршуються, але набагато повільніше. Однак термін служби пам'яті фазових змін обмежений структурою даних у вигляді дерева, що називається узагальненим деревом суфіксів, термічним розширенням під час програмування, міграцією металу та іншими невідомими механізмами.
Крім того, на відміну від флеш-пам’яті, PCM не потребує окремого кроку «стерти» при зміні збереженої інформації з одного на нуль або з нуля на один. Таким чином, PCM змінюється бітом і набагато швидше як для читання, так і для запису даних.
Кілька відомих організацій, такі як IBM, Intel, Samsung тощо, проводять дослідження технології PCM. Деякі експерти галузі вважають, що PCM може бути технологією зберігання даних у майбутньому, замінюючи жорсткі диски твердотільними накопичувачами.
