Зміст:
Визначення - Що означає Flash Memory?
Флеш-пам'ять - це енергонезалежний чіп пам'яті, який використовується для зберігання та передачі даних між персональним комп’ютером (ПК) та цифровими пристроями. Він має можливість перепрограмувати та стерти в електронному вигляді. Він часто зустрічається у флеш-накопичувачах USB, MP3-програвачах, цифрових камерах та твердотільних накопичувачах.
Флеш-пам'ять - це тип електронно стирається програмованої пам'яті для читання (EEPROM), але також може бути окремим пристроєм зберігання пам’яті, наприклад, USB-накопичувачем. EEPROM - це тип пристрою пам'яті даних, що використовує електронний пристрій для стирання або запису цифрових даних. Флеш-пам'ять - це окремий тип EEPROM, який програмується та стирається великими блоками.
Флеш-пам'ять включає використання транзисторів з плаваючим затвором для зберігання даних. Транзистори з плаваючим затвором або плаваючий затвор MOSFET (FGMOS) схожий на MOSFET, який є транзистором, що використовується для посилення або перемикання електронних сигналів. Транзистори з плаваючим затвором електрично ізольовані і використовують плаваючий вузол постійного струму (постійний струм). Флеш-пам’ять схожа на стандартну MOFSET, за винятком того, що транзистор має два ворота замість одного.
Техопедія пояснює флеш-пам’ять
Флеш-пам’ять була вперше представлена в 1980 році і розроблена доктором Фуджіо Масуока, винахідником і менеджером заводу середнього рівня в корпорації Toshiba (TOSBF). Флеш-пам’ять отримала назву від її здатності видаляти блок даних "" у мить. "Завдання доктора Масуоки було створити чіп пам'яті, що зберігає дані, коли живлення було вимкнено. Доктор Масуока також винайшов тип пам'яті, відомий як SAMOS розробив 1 Мбіт динамічної оперативної пам’яті з випадковим доступом (DRAM). У 1988 році корпорація Intel випустила перший комерційний флеш-чіп типу NOR, який замінив постійний чіп пам'яті (ROM) на материнських платах ПК, що містить основний операційний вхід / вихід система (BIOS).
Мікросхема флеш-пам'яті складається з воріт NOR або NAND. NOR - це тип комірки пам'яті, створений Intel в 1988 році. Інтерфейс шлюзу NOR підтримує повні адреси, шини даних та випадковий доступ до будь-якого місця пам'яті. Термін зберігання спалаху NOR становить від 10 000 до 1 000 000 циклів запису / стирання.
NAND був розроблений компанією Toshiba через рік після виробництва NOR. Він швидший, має меншу вартість за біт, вимагає меншої площі чіпа на комірку та додає стійкості. Термін зберігання воріт NAND становить приблизно 100 000 циклів запису / стирання. У спалах затвора NOR кожна комірка має кінець, підключений до бітової лінії, а інший кінець з'єднаний із землею. Якщо рядок слова "високий", транзистор переходить до нижньої лінії вихідного біта.
Флеш-пам’ять має багато функцій. Він набагато дешевший, ніж EEPROM, і не потребує акумуляторів для твердотільного зберігання, таких як статична ОЗУ (SRAM). Він енергонезалежний, має дуже швидкий час доступу та має більшу стійкість до кінетичного удару в порівнянні з жорстким диском. Флеш-пам’ять надзвичайно міцна і може витримувати інтенсивний тиск або екстремальні температури. Його можна використовувати для широкого набору програм, таких як цифрові камери, мобільні телефони, портативні комп'ютери, КПК (персональні цифрові помічники), цифрові аудіоплеєри та твердотільні накопичувачі (SSD).
