Що розширює дані з оперативної пам'яті (edo ram)? - визначення з техопедії

Визначення - Що означає розширена пам’ять з випадковим доступом (EDO RAM)?

Розширена пам’ять з випадковим доступом (EDO RAM / DRAM) - це ранній тип мікросхем динамічної оперативної пам'яті (DRAM), який був розроблений для підвищення продуктивності швидкої сторінки DRAM (FPM DRAM), яка використовувалася в 1990-х. Його основна особливість полягала в тому, що він усунув час очікування, дозволяючи запустити новий цикл, зберігаючи при цьому буфер виведення даних з попереднього циклу активним, що дозволяє ступінь конвеєрного перекриття (перекриття в роботі), що покращує продуктивність.

Techopedia пояснює розширену пам’ять з випадковим доступом (EDO RAM)

Розширена динамічна пам'ять з випадковим доступом була представлена ​​в 1994 році і почала замінювати режим швидкої сторінки DRAM до 1995 року, коли Intel вперше представила чіпсет 430FX, що підтримує EDO DRAM. До цього EDO DRAM міг замінити FPM DRAM, але якщо контролер пам'яті не був спеціально розроблений для EDO, продуктивність залишалася такою ж, як і FPM.

Одноциклічна EDO DRAM здатна здійснити всю транзакцію пам'яті за один тактовий цикл, інакше вона може зробити це за два цикли замість трьох, як тільки сторінка буде обрана. Можливість EDO дозволила йому замінити повільний кеш L2 ПК на той час і зменшила величезні втрати продуктивності, пов'язані з кешем L2, в той час як зробила ПК дешевшими для загальної побудови. Таким чином, система, що використовує EDO з кешем L2, була набагато швидшою порівняно з комбінацією кеш-файлів FPM та L2, а також була дешевшою для побудови.

EDO було оцінено для максимальної тактової частоти 40 МГц, 64 біт пропускної здатності шини, пікової пропускної здатності 320 Мбіт / с і працює на 5 вольт. Це було відчутно швидше, ніж у старих FPM DRAM, що мав тактову частоту лише 25 МГц і пікову пропускну здатність 200 Мбіт / с. Однак це було витіснене більш швидким SDRAM, починаючи з 1996 року, після лише двох років основного використання.